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CTRL5480F-3-103K

CTRL5480F-3-103K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 10MH 76MA 20.4 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
10 mH
Nennstrom
76 mA
DC-Widerstand (DCR)
20.4Ohm Max
Abmessungen
0.374 Dia (9.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRL5480F-3-103K.

Induktivität
10 mH

CTRL5480F-3-103K hat eine Induktivität von 10 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
76 mA

CTRL5480F-3-103K ist für 76 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
20.4Ohm Max

CTRL5480F-3-103K hat einen DC-Widerstand von 20.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRL5480F-3-103K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 mH
Toleranz±10%
Nennstrom76 mA
DC-Widerstand (DCR)20.4Ohm Max
Sättigungsstrom130mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.374 Dia (9.50mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10MH 76MA 20.4 OHM TH
SerieCTRL5480F-3
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial, Vertical Cylinder
Höhe - sitzend (max.)0.449 (11.40mm)
Merkmale-

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