CTSLF1275TF-221M
Central Technologies
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTSLF1275TF-221M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220 µH, Nennstrom 1.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 258mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTSLF1275TF-221M.
CTSLF1275TF-221M hat eine Induktivität von 220 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTSLF1275TF-221M ist für 1.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTSLF1275TF-221M hat einen DC-Widerstand von 258mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTSLF1275TF-221M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 220 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 258mOhm |
| Sättigungsstrom | 1.3A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.492 L x 0.492 W (12.50mm x 12.50mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 220UH 1.3A 258 MOHM |
| Serie | CTSLF1275TF |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.309 (7.85mm) |
