Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTSPI2D18F-1R2M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 1.76 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 41mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTSPI2D18F-1R2M.
CTSPI2D18F-1R2M hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTSPI2D18F-1R2M ist für 1.76 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTSPI2D18F-1R2M hat einen DC-Widerstand von 41mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTSPI2D18F-1R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.76 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 41mOhm |
| Sättigungsstrom | 940mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.126 L x 0.126 W (3.20mm x 3.20mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1.2UH 1.76A 41 MOHM |
| Serie | CTSPI2D18F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.071 (1.80mm) |
