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ERU33M-1R4L

ERU33M-1R4L

TDK

Nonstandard, 2 Lead
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Beschreibung

FIXED IND 1.4UH 80A 0.46 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.4 µH
Nennstrom
80 A
DC-Widerstand (DCR)
0.46mOhm
Abmessungen
1.299" L x 1.142" W (33.00mm x 29.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ERU33M-1R4L.

Induktivität
1.4 µH

ERU33M-1R4L hat eine Induktivität von 1.4 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
80 A

ERU33M-1R4L ist für 80 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.46mOhm

ERU33M-1R4L hat einen DC-Widerstand von 0.46mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard, 2 Lead

ERU33M-1R4L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard, 2 Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität1.4 µH
Toleranz±15%
Nennstrom80 A
DC-Widerstand (DCR)0.46mOhm
Sättigungsstrom120A
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
Abmessungen1.299" L x 1.142" W (33.00mm x 29.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard, 2 Lead
Gehäuse / AusführungNonstandard, 2 Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 1.4UH 80A 0.46 MOHM
SerieERU33M
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialAlloy Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.453" (11.50mm)
Merkmale-

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