Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FCI1608F-1R5M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5 µH, Nennstrom 25 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FCI1608F-1R5M.
FCI1608F-1R5M hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
FCI1608F-1R5M ist für 25 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
FCI1608F-1R5M hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
FCI1608F-1R5M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.5 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 25 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 800mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Gehäuse / Größe | 0603 (1608 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 (1608 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 1.5UH 25MA 800 MOHM |
| Serie | FCI1608F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 10MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 55MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0603 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.037" (0.95mm) |
