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MTF0603S1R5MST

MTF0603S1R5MST

Microgate Technology

0603 (1608 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0603S1R5MST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5 µH, Nennstrom 650 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 200mOhm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
650 mA
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max
Abmessungen
0.063 L x 0.039 W (1.60mm x 1.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0603S1R5MST.

Induktivität
1.5 µH

MTF0603S1R5MST hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
650 mA

MTF0603S1R5MST ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max

MTF0603S1R5MST hat einen DC-Widerstand von 200mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

MTF0603S1R5MST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±20%
Nennstrom650 mA
DC-Widerstand (DCR)200mOhm Max
Sättigungsstrom650mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.063 L x 0.039 W (1.60mm x 1.00mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 1500 NH 1000 MA 0.2 OH
SerieMTF0603S
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)

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