Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FCI1608F-R56M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 nH, Nennstrom 35 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.55Ohm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FCI1608F-R56M.
FCI1608F-R56M hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
FCI1608F-R56M ist für 35 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
FCI1608F-R56M hat einen DC-Widerstand von 1.55Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
FCI1608F-R56M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 560 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 35 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.55Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Gehäuse / Größe | 0603 (1608 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 (1608 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 560NH 35MA 1.55 OHM |
| Serie | FCI1608F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 15 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 95MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0603 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.037" (0.95mm) |
