Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0603TR56MST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.56 µH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 130mOhm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0603TR56MST.
MTF0603TR56MST hat eine Induktivität von 0.56 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF0603TR56MST ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF0603TR56MST hat einen DC-Widerstand von 130mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF0603TR56MST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.56 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 130mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.1A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.067 L x 0.040 W (1.70mm x 1.02mm) |
| Gehäuse / Größe | 0603 (1608 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 (1608 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 560 NH 1100 MA 0.13 OH |
| Serie | MTF0603T |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 600MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0603 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039 (1.00mm) |
