Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FCI3216F-1R0M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.0 µH, Nennstrom 100 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.40 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FCI3216F-1R0M.
FCI3216F-1R0M hat eine Induktivität von 1.0 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
FCI3216F-1R0M ist für 100 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
FCI3216F-1R0M hat einen DC-Widerstand von 0.40 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von FCI3216F-1R0M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.0 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 100 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.40 Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C (including self-temperature rise) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | IND 1UH 0.4OHM 100MA |
| Serie | FCI |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 45 Min @ 10 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 75 MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 1.3 mm |
