Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil GA10-821K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 3.151 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 28mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für GA10-821K.
GA10-821K hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
GA10-821K ist für 3.151 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
GA10-821K hat einen DC-Widerstand von 28mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
GA10-821K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 3.151 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 28mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.5mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.260" Dia x 0.630" L (6.60mm x 16.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 3.151MA 28 MOHM |
| Serie | GA10 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 51MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
