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GL110KA7B115

GL110KA7B115

KYOCERA AVX

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil GL110KA7B115 von KYOCERA AVX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 11 µH, Nennstrom 115 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 7Ohm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
11 µH
Nennstrom
115 mA
DC-Widerstand (DCR)
7Ohm
Abmessungen
0.182 L x 0.072 Sq Pyramid (4.62mm x 1.83mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für GL110KA7B115.

Induktivität
11 µH

GL110KA7B115 hat eine Induktivität von 11 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
115 mA

GL110KA7B115 ist für 115 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
7Ohm

GL110KA7B115 hat einen DC-Widerstand von 7Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

GL110KA7B115 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität11 µH
Toleranz±10%
Nennstrom115 mA
DC-Widerstand (DCR)7Ohm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.182 L x 0.072 Sq Pyramid (4.62mm x 1.83mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 11UH 115MA 7 OHM TH
SerieGL
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
MontageartThrough Hole

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