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GL2R0KA7B250

GL2R0KA7B250

KYOCERA AVX

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil GL2R0KA7B250 von KYOCERA AVX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2 µH, Nennstrom 250 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.45Ohm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2 µH
Nennstrom
250 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.45Ohm
Abmessungen
0.102 L x 0.065 Sq Pyramid (2.59mm x 1.65mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für GL2R0KA7B250.

Induktivität
2 µH

GL2R0KA7B250 hat eine Induktivität von 2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
250 mA

GL2R0KA7B250 ist für 250 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.45Ohm

GL2R0KA7B250 hat einen DC-Widerstand von 1.45Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

GL2R0KA7B250 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom250 mA
DC-Widerstand (DCR)1.45Ohm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.102 L x 0.065 Sq Pyramid (2.59mm x 1.65mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 2UH 250MA 1.45 OHM TH
SerieGL
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
MontageartThrough Hole

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