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HBWS1005-10NJ

HBWS1005-10NJ

Max Echo

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10NH 480MA 195 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 nH
Nennstrom
480 mA
DC-Widerstand (DCR)
195mOhm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS1005-10NJ.

Induktivität
10 nH

HBWS1005-10NJ hat eine Induktivität von 10 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
480 mA

HBWS1005-10NJ ist für 480 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
195mOhm Max

HBWS1005-10NJ hat einen DC-Widerstand von 195mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

HBWS1005-10NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.7.2026
Induktivität10 nH
Toleranz±5%
Nennstrom480 mA
DC-Widerstand (DCR)195mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantMax Echo
BeschreibungFIXED IND 10NH 480MA 195 MOHM
SerieHBWS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz23 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz3.9GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.020" (0.50mm)

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