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CTTF0402F-9N1B

CTTF0402F-9N1B

Central Technologies

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 9.1NH 220MA 1.1 OHM

Technische Daten

Induktivität
9.1 nH
Nennstrom
220 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.1Ohm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTTF0402F-9N1B.

Induktivität
9.1 nH

CTTF0402F-9N1B hat eine Induktivität von 9.1 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
220 mA

CTTF0402F-9N1B ist für 220 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.1Ohm Max

CTTF0402F-9N1B hat einen DC-Widerstand von 1.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

CTTF0402F-9N1B verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität9.1 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom220 mA
DC-Widerstand (DCR)1.1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 9.1NH 220MA 1.1 OHM
SerieCTTF0402F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauThin Film
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz13 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz5.5GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.016" (0.40mm)
Merkmale-

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