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MGCI1005T10NJT-LF

MGCI1005T10NJT-LF

Microgate Technology

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGCI1005T10NJT-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 nH, Nennstrom 300 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 420mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
420mOhm Max
Abmessungen
0.040 L x 0.022 W (1.02mm x 0.55mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGCI1005T10NJT-LF.

Induktivität
10 nH

MGCI1005T10NJT-LF hat eine Induktivität von 10 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

MGCI1005T10NJT-LF ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
420mOhm Max

MGCI1005T10NJT-LF hat einen DC-Widerstand von 420mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

MGCI1005T10NJT-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität10 nH
Toleranz±5%
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)420mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.040 L x 0.022 W (1.02mm x 0.55mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 10 NH 300 MA 0.42 OHM
SerieMGCI1005T
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz3.2GHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.020 (0.50mm)

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