Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HCI2012F-R18J von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 180 nH, Nennstrom 300 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.1Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCI2012F-R18J.
HCI2012F-R18J hat eine Induktivität von 180 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HCI2012F-R18J ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HCI2012F-R18J hat einen DC-Widerstand von 1.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HCI2012F-R18J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 180 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 300 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.1Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 180NH 300MA 1.1 OHM |
| Serie | HCI2012 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 13 @ 50MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 600MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 50 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.05mm) |
