HL028R2BTTR
KYOCERA AVX
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HL028R2BTTR von KYOCERA AVX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 nH, Nennstrom 255 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 570mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HL028R2BTTR.
HL028R2BTTR hat eine Induktivität von 8.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HL028R2BTTR ist für 255 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HL028R2BTTR hat einen DC-Widerstand von 570mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HL028R2BTTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 nH |
| Toleranz | ±0.1nH |
| Nennstrom | 255 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 570mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.039 L x 0.023 W (1.00mm x 0.58mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | KYOCERA AVX |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2NH 255MA 570 MOHM |
| Serie | MLO™ |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Non-Magnetic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 29 @ 450MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 3.95GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 450 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 (1005 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.018 (0.45mm) |
