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HPAL1V1260-8R2-R

HPAL1V1260-8R2-R

Eaton - Electronics Division

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HPAL1V1260-8R2-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPAL1V1260-8R2-R.

Induktivität
8.2 µH

HPAL1V1260-8R2-R hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität8.2 µH
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungIND 8.2UH 13.5A 2 PADS SMT
SerieHPAL1V1260
ProduktstatusActive