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CL1008-2825JUL4T

CL1008-2825JUL4T

Knowles Voltronics

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CL1008-2825JUL4T von Knowles Voltronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 103 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.237 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
103 mA
DC-Widerstand (DCR)
4.237 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL1008-2825JUL4T.

Induktivität
8.2 µH

CL1008-2825JUL4T hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
103 mA

CL1008-2825JUL4T ist für 103 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.237 Ohm Max

CL1008-2825JUL4T hat einen DC-Widerstand von 4.237 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität8.2 µH
Nennstrom103 mA
DC-Widerstand (DCR)4.237 Ohm Max
LieferantKnowles Voltronics
Beschreibung1008 IND 8.2UH HIGH Q
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz20 Min @ 7.9 MHz
Eigenresonanzfrequenz25 MHz Min

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