Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HPC 252010BMV-100M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 552mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPC 252010BMV-100M.
HPC 252010BMV-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HPC 252010BMV-100M ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HPC 252010BMV-100M hat einen DC-Widerstand von 552mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HPC 252010BMV-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 552mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 650mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 800MA 552 MOHM |
| Serie | HPC-BMV/NV |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 252010 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
