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IDC2512ER100M

IDC2512ER100M

Vishay Dale

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IDC2512ER100M von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 1.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 160mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
1.1 A
DC-Widerstand (DCR)
160mOhm Max
Abmessungen
0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IDC2512ER100M.

Induktivität
10 µH

IDC2512ER100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.1 A

IDC2512ER100M ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
160mOhm Max

IDC2512ER100M hat einen DC-Widerstand von 160mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.1 A
DC-Widerstand (DCR)160mOhm Max
Sättigungsstrom1.1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm)
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 10UH 1.1A 160 MOHM SMD
SerieIDC-2512
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.115" (2.92mm)

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