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IDC2512ER3R3M

IDC2512ER3R3M

Vishay Dale

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IDC2512ER3R3M von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
2 A
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max
Abmessungen
0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IDC2512ER3R3M.

Induktivität
3.3 µH

IDC2512ER3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 A

IDC2512ER3R3M ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max

IDC2512ER3R3M hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2 A
DC-Widerstand (DCR)80mOhm Max
Sättigungsstrom2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm)
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 2A 80 MOHM SMD
SerieIDC-2512
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.115" (2.92mm)

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