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IM04BH1R0J

Vishay Dale

Axial
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IM04BH1R0J von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 785 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 290mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
785 mA
DC-Widerstand (DCR)
290mOhm Max
Abmessungen
0.155" Dia x 0.375" L (3.94mm x 9.53mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IM04BH1R0J.

Induktivität
1 µH

IM04BH1R0J hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
785 mA

IM04BH1R0J ist für 785 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
290mOhm Max

IM04BH1R0J hat einen DC-Widerstand von 290mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

IM04BH1R0J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±5%
Nennstrom785 mA
DC-Widerstand (DCR)290mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.155" Dia x 0.375" L (3.94mm x 9.53mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 1UH 785MA 290 MOHM TH
SerieIM
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauMolded
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz200MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartThrough Hole

Vorschau

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