Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IMC1008ERR12J von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 200mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IMC1008ERR12J.
IMC1008ERR12J hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IMC1008ERR12J ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IMC1008ERR12J hat einen DC-Widerstand von 200mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IMC1008ERR12J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 200mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 800MA 200 MOHM |
| Serie | IMC-1008 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 950MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 (2520 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.075" (1.90mm) |
