Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IRF24ER820K von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Nennstrom 175 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.2Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IRF24ER820K.
IRF24ER820K hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IRF24ER820K ist für 175 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IRF24ER820K hat einen DC-Widerstand von 3.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IRF24ER820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 175 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.2Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -20°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH |
| Serie | IRF-24 |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 2.52MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 6MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Through Hole |
