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ISC1210ER100K

ISC1210ER100K

Vishay Dale

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
185 mA
DC-Widerstand (DCR)
2Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ISC1210ER100K.

Induktivität
10 µH

ISC1210ER100K hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
185 mA

ISC1210ER100K ist für 185 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2Ohm Max

ISC1210ER100K hat einen DC-Widerstand von 2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

ISC1210ER100K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
Nennstrom185 mA
DC-Widerstand (DCR)2Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD
SerieISC-1210
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz30 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz30MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.095" (2.41mm)
Merkmale-

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