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IWC0805DR12R-3G

IWC0805DR12R-3G

Laird

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120NH 400MA 510 MOHM

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
400 mA
DC-Widerstand (DCR)
510mOhm Max
Abmessungen
0.093 L x 0.068 W (2.35mm x 1.73mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IWC0805DR12R-3G.

Induktivität
120 nH

IWC0805DR12R-3G hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA

IWC0805DR12R-3G ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
510mOhm Max

IWC0805DR12R-3G hat einen DC-Widerstand von 510mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

IWC0805DR12R-3G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±2%
Nennstrom400 mA
DC-Widerstand (DCR)510mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.093 L x 0.068 W (2.35mm x 1.73mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 120NH 400MA 510 MOHM
SerieIWC0805
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz1.1GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.060 (1.52mm)
Merkmale-

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