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MLRF0805-120G

Gowanda

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120NH 470MA 510 MOHM

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
470 mA
DC-Widerstand (DCR)
510mOhm Max
Abmessungen
0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF0805-120G.

Induktivität
120 nH

MLRF0805-120G hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
470 mA

MLRF0805-120G ist für 470 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
510mOhm Max

MLRF0805-120G hat einen DC-Widerstand von 510mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MLRF0805-120G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±2%
Nennstrom470 mA
DC-Widerstand (DCR)510mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 120NH 470MA 510 MOHM
SerieMLRF0805
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz1.1GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse805
Höhe - sitzend (max.)0.060" (1.52mm)
Merkmale-

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