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CTLL2012SF-R12J

CTLL2012SF-R12J

Central Technologies

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120NH 300MA 950 MOHM

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
950mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLL2012SF-R12J.

Induktivität
120 nH

CTLL2012SF-R12J hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

CTLL2012SF-R12J ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
950mOhm Max

CTLL2012SF-R12J hat einen DC-Widerstand von 950mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CTLL2012SF-R12J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±5%
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)950mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 120NH 300MA 950 MOHM
SerieCTLL2012SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz13 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz500MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.041 (1.05mm)
Merkmale-

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