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L02013R3BHSTR

L02013R3BHSTR

KYOCERA AVX

0201 (0603 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3NH 150MA 1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3.3 nH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
1Ohm Max
Abmessungen
0.024 L x 0.013 W (0.60mm x 0.33mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L02013R3BHSTR.

Induktivität
3.3 nH

L02013R3BHSTR hat eine Induktivität von 3.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

L02013R3BHSTR ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1Ohm Max

L02013R3BHSTR hat einen DC-Widerstand von 1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

L02013R3BHSTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität3.3 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024 L x 0.013 W (0.60mm x 0.33mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 3.3NH 150MA 1 OHM SMD
SerieAccu-L®
ProduktstatusActive
Typ / AufbauThin Film
KernmaterialNon-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz7 @ 450MHz
Eigenresonanzfrequenz13GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz450 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201 (0603 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.011 (0.28mm)
Merkmale-

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