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L08051R2CEWTR

L08051R2CEWTR

KYOCERA AVX

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.2NH 1A 50 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1.2 nH
Nennstrom
1 A
DC-Widerstand (DCR)
50mOhm Max
Abmessungen
0.083 L x 0.059 W (2.11mm x 1.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L08051R2CEWTR.

Induktivität
1.2 nH

L08051R2CEWTR hat eine Induktivität von 1.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1 A

L08051R2CEWTR ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
50mOhm Max

L08051R2CEWTR hat einen DC-Widerstand von 50mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

L08051R2CEWTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität1.2 nH
Toleranz±0.2nH
Nennstrom1 A
DC-Widerstand (DCR)50mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.083 L x 0.059 W (2.11mm x 1.50mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 1.2NH 1A 50 MOHM SMD
SerieAccu-L®
ProduktstatusActive
Typ / AufbauThin Film
KernmaterialNon-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz60 @ 450MHz
Eigenresonanzfrequenz10GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz450 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.041 (1.04mm)
Merkmale-

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