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L08052R7CESTR

L08052R7CESTR

KYOCERA AVX

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.7NH 2A 80 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.7 nH
Nennstrom
2 A
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max
Abmessungen
0.083 L x 0.059 W (2.11mm x 1.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L08052R7CESTR.

Induktivität
2.7 nH

L08052R7CESTR hat eine Induktivität von 2.7 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 A

L08052R7CESTR ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max

L08052R7CESTR hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

L08052R7CESTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität2.7 nH
Toleranz±0.2nH
Nennstrom2 A
DC-Widerstand (DCR)80mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.083 L x 0.059 W (2.11mm x 1.50mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 2.7NH 2A 80 MOHM SMD
SerieAccu-L®
ProduktstatusActive
Typ / AufbauThin Film
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz42 @ 450MHz
Eigenresonanzfrequenz10GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz450 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.041 (1.04mm)
Merkmale-

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