Beschreibung
FIXED IND 2.2UH 1.9A 80 MOHM SMD
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPC 3012TF-2R2M.
HPC 3012TF-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HPC 3012TF-2R2M ist für 1.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HPC 3012TF-2R2M hat einen DC-Widerstand von 80mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HPC 3012TF-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.9 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mOhm |
| Sättigungsstrom | 1.8A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1212 (3030 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1212 (3030 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 1.9A 80 MOHM SMD |
| Serie | HPC3012TF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | - |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | - |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1212 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
| Merkmale | - |
