LCXNE3030KKT2R2MN
Taiyo Yuden
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LCXNE3030KKT2R2MN von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 1.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 83mOhm, Gehäusegröße 1212 (3030 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LCXNE3030KKT2R2MN.
LCXNE3030KKT2R2MN hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LCXNE3030KKT2R2MN ist für 1.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LCXNE3030KKT2R2MN hat einen DC-Widerstand von 83mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LCXNE3030KKT2R2MN verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LCXNE3030KKT2R2MN weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 83mOhm |
| Sättigungsstrom | 1.3A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1212 (3030 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1212 (3030 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 1.3A 83 MOHM SMD |
| Serie | LCXN |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Semi-Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 86MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1212 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
