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LTF4022T-100M-D

LTF4022T-100M-D

TDK

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 1.2A 190 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
190mOhm
Abmessungen
0.217" L x 0.157" W (5.50mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LTF4022T-100M-D.

Induktivität
10 µH

LTF4022T-100M-D hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

LTF4022T-100M-D ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
190mOhm

LTF4022T-100M-D hat einen DC-Widerstand von 190mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

LTF4022T-100M-D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)190mOhm
Sättigungsstrom950mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
Abmessungen0.217" L x 0.157" W (5.50mm x 4.00mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 10UH 1.2A 190 MOHM SMD
SerieLTF4022-D
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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