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LTF4022T-3R3N-D

LTF4022T-3R3N-D

TDK

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 2.1A 64 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
2.1 A
DC-Widerstand (DCR)
64mOhm Max
Abmessungen
0.217" L x 0.157" W (5.50mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LTF4022T-3R3N-D.

Induktivität
3.3 µH

LTF4022T-3R3N-D hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.1 A

LTF4022T-3R3N-D ist für 2.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
64mOhm Max

LTF4022T-3R3N-D hat einen DC-Widerstand von 64mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

LTF4022T-3R3N-D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±30%
Nennstrom2.1 A
DC-Widerstand (DCR)64mOhm Max
Sättigungsstrom1.6A
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
Abmessungen0.217" L x 0.157" W (5.50mm x 4.00mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 2.1A 64 MOHM SMD
SerieLTF4022-D
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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