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MGCI1005T5N6ST-LF

MGCI1005T5N6ST-LF

Microgate Technology

0402 (1005 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGCI1005T5N6ST-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.6 nH, Nennstrom 300 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 230mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5.6 nH
Nennstrom
300 mA
DC-Widerstand (DCR)
230mOhm Max
Abmessungen
0.040 L x 0.022 W (1.02mm x 0.55mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGCI1005T5N6ST-LF.

Induktivität
5.6 nH

MGCI1005T5N6ST-LF hat eine Induktivität von 5.6 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
300 mA

MGCI1005T5N6ST-LF ist für 300 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
230mOhm Max

MGCI1005T5N6ST-LF hat einen DC-Widerstand von 230mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

MGCI1005T5N6ST-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität5.6 nH
Toleranz±0.3nH
Nennstrom300 mA
DC-Widerstand (DCR)230mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.040 L x 0.022 W (1.02mm x 0.55mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 5.6 NH 300 MA 0.23 OHM
SerieMGCI1005T
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz4GHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.020 (0.50mm)

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