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MGCI1005TR18JT-LF

MGCI1005TR18JT-LF

Microgate Technology

0402 (1005 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGCI1005TR18JT-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 180 nH, Nennstrom 100 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.3Ohm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
180 nH
Nennstrom
100 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.3Ohm Max
Abmessungen
0.040 L x 0.022 W (1.02mm x 0.55mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGCI1005TR18JT-LF.

Induktivität
180 nH

MGCI1005TR18JT-LF hat eine Induktivität von 180 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
100 mA

MGCI1005TR18JT-LF ist für 100 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.3Ohm Max

MGCI1005TR18JT-LF hat einen DC-Widerstand von 3.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

MGCI1005TR18JT-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität180 nH
Toleranz±5%
Nennstrom100 mA
DC-Widerstand (DCR)3.3Ohm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.040 L x 0.022 W (1.02mm x 0.55mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 180 NH 150 MA 3.3 OHM
SerieMGCI1005T
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz9 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz500MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.020 (0.50mm)

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