Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGHC090608E-R12K-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 51 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 290mOhm, Gehäusegröße 2-SMD, No Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGHC090608E-R12K-LF.
MGHC090608E-R12K-LF hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGHC090608E-R12K-LF ist für 51 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGHC090608E-R12K-LF hat einen DC-Widerstand von 290mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGHC090608E-R12K-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, No Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 51 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 290mOhm |
| Sättigungsstrom | 79A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.386 L x 0.252 W (9.80mm x 6.40mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD, No Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD, No Lead |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 79A 0.295 MOHM |
| Serie | MGHC090608E |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Magnetic Powder |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.319 (8.10mm) |
| Merkmale | High Current |