MGHC090608U-R30K-LF

MGHC090608U-R30K-LF

Microgate Technology

2-SMD, No Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGHC090608U-R30K-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 300 nH, Nennstrom 32.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 290mOhm, Gehäusegröße 2-SMD, No Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
300 nH
Nennstrom
32.5 A
DC-Widerstand (DCR)
290mOhm
Abmessungen
0.386 L x 0.252 W (9.80mm x 6.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGHC090608U-R30K-LF.

Induktivität
300 nH

MGHC090608U-R30K-LF hat eine Induktivität von 300 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
32.5 A

MGHC090608U-R30K-LF ist für 32.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
290mOhm

MGHC090608U-R30K-LF hat einen DC-Widerstand von 290mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, No Lead

MGHC090608U-R30K-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, No Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität300 nH
Toleranz±10%
Nennstrom32.5 A
DC-Widerstand (DCR)290mOhm
Sättigungsstrom32.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.386 L x 0.252 W (9.80mm x 6.40mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, No Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, No Lead
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 300NH 32.5A 0.29 MOHM
SerieMGHC090608U
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialMagnetic Powder
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.315 (8.00mm)
MerkmaleHigh Current

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