MGHC100703U-R15L-LF

MGHC100703U-R15L-LF

Microgate Technology

2-SMD, No Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGHC100703U-R15L-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 150 nH, Nennstrom 40 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 400mOhm, Gehäusegröße 2-SMD, No Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
150 nH
Nennstrom
40 A
DC-Widerstand (DCR)
400mOhm
Abmessungen
0.421 L x 0.276 W (10.70mm x 7.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGHC100703U-R15L-LF.

Induktivität
150 nH

MGHC100703U-R15L-LF hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
40 A

MGHC100703U-R15L-LF ist für 40 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
400mOhm

MGHC100703U-R15L-LF hat einen DC-Widerstand von 400mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, No Lead

MGHC100703U-R15L-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, No Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität150 nH
Toleranz±20%
Nennstrom40 A
DC-Widerstand (DCR)400mOhm
Sättigungsstrom60A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.421 L x 0.276 W (10.70mm x 7.00mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, No Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, No Lead
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 150NH 60A 0.4 MOHM
SerieMGHC100710U
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialMagnetic Powder
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118 (3.00mm)
MerkmaleHigh Current

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