MGHC100712E-R32K-LF

MGHC100712E-R32K-LF

Microgate Technology

2-SMD, No Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGHC100712E-R32K-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 320 nH, Nennstrom 54 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm, Gehäusegröße 2-SMD, No Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
320 nH
Nennstrom
54 A
DC-Widerstand (DCR)
150mOhm
Abmessungen
0.394 L x 0.275 W (10.00mm x 7.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGHC100712E-R32K-LF.

Induktivität
320 nH

MGHC100712E-R32K-LF hat eine Induktivität von 320 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
54 A

MGHC100712E-R32K-LF ist für 54 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mOhm

MGHC100712E-R32K-LF hat einen DC-Widerstand von 150mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, No Lead

MGHC100712E-R32K-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, No Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität320 nH
Toleranz±10%
Nennstrom54 A
DC-Widerstand (DCR)150mOhm
Sättigungsstrom54A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.394 L x 0.275 W (10.00mm x 7.00mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, No Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, No Lead
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 320NH 54A 0.15 MOHM
SerieMGHC100712E
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialMagnetic Powder
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.472 (12.00mm)
MerkmaleHigh Current

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