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MGTC0402C9N5_ST

MGTC0402C9N5_ST

Microgate Technology

0402 (1106 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC0402C9N5_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 9.5 nH, Nennstrom 480 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 200mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1106 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
9.5 nH
Nennstrom
480 mA
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max
Abmessungen
0.047 L x 0.025 W (1.19mm x 0.64mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC0402C9N5_ST.

Induktivität
9.5 nH

MGTC0402C9N5_ST hat eine Induktivität von 9.5 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
480 mA

MGTC0402C9N5_ST ist für 480 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max

MGTC0402C9N5_ST hat einen DC-Widerstand von 200mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1106 Metric)

MGTC0402C9N5_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1106 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität9.5 nH
Nennstrom480 mA
DC-Widerstand (DCR)200mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.047 L x 0.025 W (1.19mm x 0.64mm)
Gehäuse / Größe0402 (1106 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1106 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 9.5NH 480MA 0.020OHM
SerieMGTC0402C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz4GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.026 (0.66mm)

Vorschau

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