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MGTC0402HP20N_ST

MGTC0402HP20N_ST

Microgate Technology

0402 (1106 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC0402HP20N_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 20 nH, Nennstrom 780 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 185mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1106 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
20 nH
Nennstrom
780 mA
DC-Widerstand (DCR)
185mOhm Max
Abmessungen
0.047 L x 0.025 W (1.19mm x 0.64mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC0402HP20N_ST.

Induktivität
20 nH

MGTC0402HP20N_ST hat eine Induktivität von 20 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
780 mA

MGTC0402HP20N_ST ist für 780 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
185mOhm Max

MGTC0402HP20N_ST hat einen DC-Widerstand von 185mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1106 Metric)

MGTC0402HP20N_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1106 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität20 nH
Nennstrom780 mA
DC-Widerstand (DCR)185mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.047 L x 0.025 W (1.19mm x 0.64mm)
Gehäuse / Größe0402 (1106 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1106 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 20 NH 780 MA 0.185 OHM
SerieMGTC0402HP
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz27 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz3.5GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.022 (0.55mm)

Vorschau

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