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MGTC0402HP56N_ST

MGTC0402HP56N_ST

Microgate Technology

0402 (1106 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC0402HP56N_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56 nH, Nennstrom 330 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 900mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1106 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
56 nH
Nennstrom
330 mA
DC-Widerstand (DCR)
900mOhm Max
Abmessungen
0.047 L x 0.025 W (1.19mm x 0.64mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC0402HP56N_ST.

Induktivität
56 nH

MGTC0402HP56N_ST hat eine Induktivität von 56 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
330 mA

MGTC0402HP56N_ST ist für 330 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
900mOhm Max

MGTC0402HP56N_ST hat einen DC-Widerstand von 900mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1106 Metric)

MGTC0402HP56N_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1106 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität56 nH
Nennstrom330 mA
DC-Widerstand (DCR)900mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.047 L x 0.025 W (1.19mm x 0.64mm)
Gehäuse / Größe0402 (1106 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1106 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 56 NH 330 MA 0.9 OHM
SerieMGTC0402HP
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz31 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz2.07GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.022 (0.55mm)

Vorschau

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