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MGTC0402P51N_ST

MGTC0402P51N_ST

Microgate Technology

0402 (1106 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC0402P51N_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 51 nH, Nennstrom 415 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 696mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1106 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
51 nH
Nennstrom
415 mA
DC-Widerstand (DCR)
696mOhm Max
Abmessungen
0.047 L x 0.025 W (1.19mm x 0.64mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC0402P51N_ST.

Induktivität
51 nH

MGTC0402P51N_ST hat eine Induktivität von 51 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
415 mA

MGTC0402P51N_ST ist für 415 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
696mOhm Max

MGTC0402P51N_ST hat einen DC-Widerstand von 696mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1106 Metric)

MGTC0402P51N_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1106 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität51 nH
Nennstrom415 mA
DC-Widerstand (DCR)696mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.047 L x 0.025 W (1.19mm x 0.64mm)
Gehäuse / Größe0402 (1106 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1106 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 51 NH 415 MA 0.696 OHM
SerieMGTC0402P
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz2.9GHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.022 (0.55mm)

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