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MGTC0805CR10_ST

MGTC0805CR10_ST

Microgate Technology

0805 (2012 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC0805CR10_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 400 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 460mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
100 nH
Nennstrom
400 mA
DC-Widerstand (DCR)
460mOhm Max
Abmessungen
0.081 L x 0.053 W (2.08mm x 1.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC0805CR10_ST.

Induktivität
100 nH

MGTC0805CR10_ST hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA

MGTC0805CR10_ST ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
460mOhm Max

MGTC0805CR10_ST hat einen DC-Widerstand von 460mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MGTC0805CR10_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität100 nH
Nennstrom400 mA
DC-Widerstand (DCR)460mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.081 L x 0.053 W (2.08mm x 1.35mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 100 NH 400 MA 0.46 OHM
SerieMGTC0805C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz65 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz1.25GHz
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.052 (1.31mm)

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