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MGV3225122R2M-10

MGV3225122R2M-10

Laird

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 2.7A 72 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
2.7 A
DC-Widerstand (DCR)
72mOhm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGV3225122R2M-10.

Induktivität
2.2 µH

MGV3225122R2M-10 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.7 A

MGV3225122R2M-10 ist für 2.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
72mOhm Max

MGV3225122R2M-10 hat einen DC-Widerstand von 72mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

MGV3225122R2M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.7 A
DC-Widerstand (DCR)72mOhm Max
Sättigungsstrom3.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 2.7A 72 MOHM SMD
SerieMGV322512
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialMetal Composite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.047 (1.20mm)
Merkmale-

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