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MGTC1210C2R2_ST

MGTC1210C2R2_ST

Microgate Technology

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC1210C2R2_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 310 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.41Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
310 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.41Ohm Max
Abmessungen
0.143 L x 0.116 W (3.65mm x 2.95mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC1210C2R2_ST.

Induktivität
2.2 µH

MGTC1210C2R2_ST hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
310 mA

MGTC1210C2R2_ST ist für 310 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.41Ohm Max

MGTC1210C2R2_ST hat einen DC-Widerstand von 2.41Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

MGTC1210C2R2_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität2.2 µH
Nennstrom310 mA
DC-Widerstand (DCR)2.41Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.143 L x 0.116 W (3.65mm x 2.95mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 2200 NH 310 MA 2.41 OH
SerieMGTC1210C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz130MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.106 (2.70mm)

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