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CTLQ1210NF-2R2K

CTLQ1210NF-2R2K

Central Technologies

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 370MA 800 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
370 mA
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLQ1210NF-2R2K.

Induktivität
2.2 µH

CTLQ1210NF-2R2K hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
370 mA

CTLQ1210NF-2R2K ist für 370 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

CTLQ1210NF-2R2K hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTLQ1210NF-2R2K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom370 mA
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 370MA 800 MOHM
SerieCTLQ1210NF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz50MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)
Merkmale-

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